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Samsung apunta a comenzar la producción en masa de chips de 3nm la próxima semana

Samsung apunta a comenzar la producción en masa de chips de 3nm la próxima semana

Se espera que Samsung anuncie el inicio de la producción en masa de chips de 3nm la próxima semana, informa Noticias Yonhap. Esto significa que la compañía se adelantará a TSMC, que se espera que comience la producción de chips de 3nm en la segunda mitad de este año.

El nodo de 3 nm de Samsung traerá una disminución del 35 % en el área, un rendimiento un 30 % mayor o un consumo de energía un 50 % menor en comparación con su proceso de 5 nm (que se usó para Snapdragon 888 y Exynos 2100).

Esto se logrará cambiando a un diseño Gate-All-Around (GAA) para transistores. Este es el siguiente paso después de FinFET, ya que permite que la fundición reduzca el tamaño de los transistores, sin dañar su capacidad de transportar corriente. El diseño GAAFET utilizado en el nodo de 3 nm es el tipo MBCFET que se muestra en la imagen a continuación.

La evolución de los transistores de silicio.
La evolución de los transistores de silicio.

El presidente de EE. UU., Joe Biden, visitó la planta de Samsung en Pyeongtaek el mes pasado para asistir a una demostración de la tecnología de 3 nm de Samsung. El año pasado se habló de que la compañía podría invertir $10 mil millones para construir una fundición de 3nm en Texas. Esa inversión ha crecido a $ 17 mil millones, se espera que la planta comience a operar en 2024.

El sitio de la planta de Samsung en Taylor, Texas
El sitio de la planta de Samsung en Taylor, Texas

De todos modos, la mayor preocupación con un nuevo nodo es el rendimiento. En octubre del año pasado, Samsung declaró que el rendimiento de su proceso de 3nm se está “aproximando a un nivel similar al del proceso de 4nm”. Si bien la compañía nunca mostró cifras oficiales, los analistas creen que el nodo de 4nm de Samsung estaba plagado de problemas de rendimiento.

Se espera un nodo de 3 nm de segunda generación en 2023 y la hoja de ruta de la compañía también incluye un nodo de 2 nm basado en MBCFET en 2025.

Fuente

Sourche : GSMARENA

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